在当今科技蓬勃发展的时代,激光器作为一项关键技术,广泛应用于现代工业、科研、医疗等诸多领域。以2025年的行业现状来看,大功率激光器在各应用场景中的需求持续增长,其性能的稳定性愈发成为关注焦点。例如,在激光测距领域,1064nm 波长的大功率激光器是核心光源,其波长温度漂移(典型值约 0.1nm/℃)会导致回波信号解算误差,直接影响千米级距离测量的毫米级精度要求;在医疗领域,如激光碎石或组织消融,温度波动引发的输出功率起伏可能造成治疗剂量失控,甚至危及患者安全。这使得对激光器热控系统的研究和改进迫在眉睫,热控系统的性能直接关系到激光器能否稳定、高效地运行。
大功率 1064nm 激光器在众多设备中扮演着核心角色,其性能稳定性与工作温度控制精度紧密相关。《2025-2030年全球及中国激光器行业市场现状调研及发展前景分析报告》指出,在实际应用中,像 400W 级的激光器,在启动阶段需要快速预热光学腔体,防止冷凝效应的产生;而在持续工作时,则要以 ±1℃的精度抑制热致光束畸变,以确保激光器的正常运行和输出效果。
然而,传统的热控技术,如分体式 TEC 加热 / 制冷模块,虽然能满足一般场景的需求,但在面对大功率、高动态负载的工况时,却暴露出诸多问题。传统双向 TEC 驱动电路受限于分立式架构和低电流容量,若要实现高功率输出,就需要多模块并联,这不仅导致系统体积庞大,还使得能效不足。而且,脉冲激光器在突发工作模式下,会产生瞬态热冲击,比如突然开机时的功率跃升,这对控制电路的动态响应提出了亚秒级调节的高要求,而传统的门控算法与单向驱动拓扑难以适应这种极端工况。
为了解决上述难题,一种基于直流电机驱动芯片的双向换向 TEC 控制电路应运而生。这种创新设计对 TEC 传统驱动拓扑进行了重构,优化了电路结构,实现了亚秒级控制周期的闭环热控。
在具体设计中,选用大功率、大散热的 H 桥驱动器,型号为 ZHD75S10。该芯片采用厚膜混合集成电路工艺,全密封金属外壳封装,具备诸多优良特性。其工作电压范围为 9 - 16V,引线焊接温度可达 300℃(10s),工作温度范围在 -55℃ - 125℃,最大驱动能力为 12A(常规散热)。通过 DIS 引脚可以控制芯片电流方向,考虑到制冷器为非线性阻性负载,与电机绕组特性不同,在输出端正负均设计了 LC 滤波电路,电感选用大封装贴片电感,电感值 150μH,直流电阻阻值 0.036Ω,并联电容等效容值 100μF,以此达到更优异的控制效果。
该电路设计实现了单芯片架构下 TEC 的加热(+12A)与制冷(-12A)双向切换功能,能够很好地适配 1064nm 激光器整机 400W 热耗的热管理需求。这种设计突破了传统方案中加热与制冷电路分立导致的效率瓶颈,为激光器热控系统带来了新的发展方向。
激光器热控系统不仅在电路设计上进行了创新,还采用了多级功率分配 PID 控制策略,以实现精准控温。
激光系统中的热控软件运行在主控制器上,通过采集热敏电阻反馈的信息,控制制冷器和加热带,将系统温度控制在设定目标温度值上。该热控单机有测温模式、保温模式、热控模式三种工作模式。其中,控温模式由 TEC 工作,旨在启动时快速升温、稳态时精准控温;保温模式则由加热带工作,用于在极端情况下低功耗维持系统温度。
通过建立差分方程并求解通项公式,证明了该算法的稳定性。这种控制方法有效,且在 21 次左右迭代即可收敛并保持稳定。采用多级功率分配的 PID 控制具有快速收敛性、稳态高精度、强鲁棒性和低计算开销等优点,能使 10℃ - 0.5℃的调节时间缩短近 30%,整机工作范围内温度波动控制在 1℃以内,在激光器功率变化对应的环境温度突变时仍能保证工作需求,模式决策算法仅占用 5% 的 CPU 资源。
为了验证该热控系统的性能,进行了一系列试验。试验选用 1064nm 波长、400W 热耗的激光器,热控系统包含双向 TEC 驱动电路、STM32 主控板、热敏电阻,控制算法的程序控制周期为 100ms,数据采样频率为 20Hz,实验在真空试验箱中进行。
在预热阶段试验中,从室温 22℃升温至目标控温温度 31℃。实验结果显示,多级功率分配的 PID 控制在温差为 5℃以上时升温迅速,在温差为 5℃以内时升温稍慢但能很好地抑制超调,在温差为 1℃以内时波动不大,满足激光器升温时的性能指标。相比之下,传统 PID 控制在温差为 5℃以上时升温稍慢,升温末期存在超调量,且末期温度稳定性稍差。两种控制算法在预热阶段的对比数据表明,多级功率分配 PID 控制的预热时间更短(40s 对比 55s),升温最大速率更高(0.25℃/s 对比 0.2℃/s),最大超调量更小(1.5℃ 对比 0.4℃ )。
在稳态阶段试验中,从预热后达到的 30.8℃开启激光器输出,整个试验过程持续 430s,控温温度最高达到 31.6℃。试验数据显示,整个控温过程存在温度的整体上升与小幅度波动,这主要是由于传热过程的滞后性、热敏电阻采集误差、激光器箱壁较厚以及相变热管中相变材料吸热升温等因素导致的。但整个过程中温度波动范围可控,并且在相变热管末期上升至 52℃时仍能保持冷端温度可控。传统 PID 控制在温度波动及热量控制上存在缺陷,在小温差范围内的稳定性与大温差范围的速度性存在矛盾。两种控制算法在稳态阶段的对比数据显示,多级功率分配 PID 控制的保持时间更长(430s 对比 300s),温度稳定性更好(±1℃ 对比 ±2℃),最大电流更小(5.9A 对比 8.6A)。
综合试验结果可知,采用多级功率分配 PID 控制策略能够提升热控稳定时间、增大温度稳定性、缩短预热时间,显著提升了激光器热控系统的性能。
综上所述,针对大功率激光器热管理中快速响应与高精度控温的双重需求,基于直流电机驱动芯片的双向换向 TEC 控制方案展现出了极大的优势。通过重构 TEC 驱动电路拓扑,实现了单芯片架构下双向大电流的快速切换,结合多级功率分配 PID 算法,有效提升了动态响应速度与稳态控制精度。在 400W 热耗场景下,该系统预热阶段升温速率提升 30%,稳态控温精度达 1℃,亚秒级闭环控制周期抑制了热惯性导致的超调震荡。相较于传统方案,其在集成度、能效比与适应性方面优势明显,不仅为 1064nm 高功率激光器提供了可靠的热管理支持,还可拓展至光纤激光加工、医疗激光设备等对热控要求严苛的领域。未来,随着对算法鲁棒性的进一步优化以及对多 TEC 阵列协同控制的探索,有望为更大功率激光系统的热控难题提供更具普适性的解决方案,推动激光器行业在热控技术领域不断向前发展。
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