中国报告大厅网讯,随着人工智能技术的快速发展,高带宽内存(HBM)的需求呈现爆发式增长,成为存储行业的新焦点。全球主要存储芯片制造商纷纷调整战略,加大投资力度,以应对市场变化。在这一背景下,行业格局正在发生显著变化,传统巨头面临挑战,新兴力量迅速崛起。
中国报告大厅发布的《2025-2030年全球及中国存储行业市场现状调研及发展前景分析报告》指出,为满足激增的HBM需求,SK海力士决定将今年的计划资本支出提高30%,从最初的22万亿韩元增至29万亿韩元。这一决策已最终确定,并迅速付诸实施。该公司要求供应商提前两个月,即在10月份之前,将设备交付至忠州的M15X工厂。M15X工厂将主要生产最新的DRAM产品,特别是用于HBM3E的核心芯片1b DRAM。
SK海力士的这一举措直接响应了主要客户的需求。作为全球领先的GPU制造商,其客户要求提前交付HBM芯片,以支持其AI加速器的生产。此外,SK海力士还计划从今年开始向另一家重要客户供应HBM。为确保盈利能力,该公司正在将部分传统节点产品的产能转换为HBM工艺,并将图像传感器业务的员工调至AI内存业务。
今年第一季度,SK海力士以36%的市场份额首次超越三星,成为全球DRAM市场的最大供应商。这一历史性突破主要得益于其在HBM市场的主导地位。相比之下,三星的市场份额为34%,未能跟上人工智能时代的步伐,被认为是其失去头把交椅的重要因素。
SK海力士的HBM产能已经全部售罄,并已向客户提供HBM4 12H的样品。这一强劲表现进一步巩固了其在存储行业的领先地位。过去,三星凭借“超差距技术”和规模化生产能力在内存领域占据主导地位,但进入2024年后,其在HBM领域的技术竞争力不足,导致市场份额下滑。
作为全球内存芯片市场的第三大参与者,美光科技正在全力挑战SK海力士和三星,争夺HBM市场的主导地位。该公司已通过主要客户的第五代HBM3E产品的质量验证流程,并开始量产这些芯片,用于下一代AI加速器。
美光科技的目标是今年将其HBM市场份额提升至20%左右。为此,该公司正在提升产能,将新收购的两家工厂改造成可生产HBM的DRAM工厂,并计划在新加坡建造一座新的HBM晶圆厂。此外,美光科技还在爱达荷州、纽约州和日本广岛进行扩建,以加速HBM的生产。
存储行业的变化已初现端倪。SK海力士凭借HBM的强劲销售首次超越三星,成为全球DRAM市场的最大供应商。美光科技与三星之间的差距大幅缩小,从去年第四季度的16.9个百分点缩小到今年第一季度的9个百分点。这一变化主要归因于美光向主要客户不断增长的8层HBM3E产品出货量。
随着SK海力士加速建设新的HBM工厂,并加强员工队伍,行业观察人士正在关注三星在今年下半年可能出现的反弹。三星正与主要客户合作对其HBM3E进行最后的质量测试,一旦获得认证,就可能开始增加出货量。
高带宽内存(HBM)需求的激增正在深刻改变存储行业的格局。SK海力士通过大幅增加资本支出和加速产能扩张,首次超越三星,成为全球DRAM市场的最大供应商。美光科技则通过积极布局HBM,挑战韩国巨头的市场地位。未来,随着各主要厂商的持续投入和技术突破,存储行业的竞争将更加激烈,市场格局也可能进一步重塑。
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