存储器关乎国家安全，但我国目前存储器领域几乎100%进口，基于自主可控的需求是现阶段下国家政策力推的根本原因。由于存储芯片具有技术差距大、行业集中度高、周期性强、资金投入大四大特性，要想完成进口替代的任务，仅依靠几家企业的力量是非常困难的，可喜的是，自2015年底以来，国内已经有多个地区和公司正在积极从事存储器方面的投资。
在存储器芯片领域，我国其实属于起步较晚的。存储器芯片是集成电路产业三大品类之一，目前在消费电子、固态存储器、内存、智能终端等领域广泛应用，存储器芯片在芯片产业的比重就超过了25%，其国产化程度反映了国家在半导体领域的发展水平。
仅2014年我国存储芯片的市场规模就已经超过2000亿元，在国内集成电路市场份额中占比更是达到了23%。但是这庞大市场需求，却需要通过进口来满足，我国每年进口的存储芯片金额高达600亿美元。尤其在DRAM与NAND Flash领域，更是我国存储器芯片领域的短板。
总体来看，我国存储芯片领域虽然取得了一些进展，但是总体看来仍旧是刚刚起步，NAND Flash与DRAM等细分领域的专利、核心技术仍旧为东芝、三星、Intel、SanDisk等海外厂商所掌握。
2016-2021年中国半导体存储器行业发展分析及投资潜力研究报告表明，存储器产业属于一个需要长期投入的产业，因此国家设立集成电路产业投资基金就是想在统筹布局与合理规划的基础上，建立完善的产业生态，注重人才培养与核心技术开发，也只有这样，我国才能把握住当下各类新兴信息技术与存储器产业深度融合所产生的市场机遇。
目前，已经有不少公司在存储器领域发力，长江存储更是通过与中科院联手来开拓这一庞大市场。目前其研发的32层3D NAND Flash芯片顺利通过了包括电学特性等各项指标测试，已经基本达到了预期要求，成功验证了电子电路设计与工艺器件的整套技术。
在技术上取得突破之后，下一步我国存储器领域将会迎来产业化发展的最好时机。
对于投资者而言，想要把握这一红利，更是需要结合自身条件，从细分领域入手，将会更具保障。例如存储器技术的提升，也会带动封测产业以及材料设备的快速增长。
显然，我国国产存储器芯片将会在下一阶段迎来巨大的发展机遇。眼下随着技术、政策、人员、资金等各种条件的基本成熟，行业爆发的契机就在眼前。
尽管存储器属于高度垄断的行业，但是我国在发展存储器产业道路上已经迈出了第一步。2月12日，紫光集团在南京正式建立半导体产业基地，主要产品为3DNANDFLASH、DRAM存储芯片等，一期投资100亿美元，规划月产芯片10万片，项目总投资300亿美元。除此之外，紫光集团还与国家集成电路产业投资基金股份有限公司于2016年7月共同出资成立长江存储科技有限责任公司;项目于2016年12月30日正式开工建设。项目总投资金额约240亿美元，预期将于2018年完成建厂投产、2020年完成整个项目，总产能将达到30万片一个月。
除紫光/长江存储之外，2016年福建晋华与联电签订技术合作协定，由联电协助其生产利基型DRAM。新建的12英寸厂房已经动工，初步产能规划每月6万片，估计2017年底完成技术开发，2018年9月试产。合肥长鑫公司于2016年宣布将在合肥打造月产能12.5万片的12英寸晶圆厂，生产存储器。此外，股市新贵兆易创新也计划收购北京矽成，其中发行股份支付对价为45.5亿元，现金支付对价为19.5亿元。兆易创新是国内NORFlash行业的龙头厂商。
以上举措显示，我国存储器产业的发展正在持续推进。如果仅从规划中的产能来看，已经超过国际半导体厂商在中国大陆建设的产能。整理各家公司公开发布的数据发现，紫光/长江存储+晋华+长鑫规划月产能达到58.5万片，而几家国际存储器大厂在中国大陆的产能为32万片/月。
不过，这一情况已经引起国际存储器大厂的警惕。海力士近日表示将投资36亿美元在无锡建设第二座存储工厂。也有消息称三星电子将在2017年～2018年大举追加投资西安3DNANDFlash厂，预估将投资约43.5亿美元。三星、海力士同时扩大在华存储器的投资，争抢未来市场的目的十分明显。
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