中国报告大厅网讯,在全球新能源革命和半导体技术迭代的背景下,碳化硅材料凭借其高耐压、低损耗等特性,已成为功率器件领域的核心发展方向。据国际能源署预测,2025年全球碳化硅市场规模将突破300亿美元,中国占比有望达到40%以上,政策支持与技术创新成为产业发展的双引擎。
中国报告大厅发布的《2025-2030年中国碳化硅行业市场供需及重点企业投资评估研究分析报告》指出,近年来,中国通过《“十四五”新型储能发展规划》等文件明确将碳化硅列为重点突破领域。数据显示,截至2025年6月,国内已建成超30条8英寸碳化硅晶圆产线,产能较2021年增长4倍以上。政策层面,多地政府通过税收减免、研发补贴等方式推动产业链国产化进程,例如广东省对碳化硅企业最高给予项目投资额30%的专项支持。
传统硅基氮化镓技术路线长期面临大尺寸集成难题:一方面,6英寸以下衬底在功率密度和成本上难以满足新能源车、光伏逆变器等高端需求;另一方面,材料缺陷率过高导致器件寿命缩短。此次深圳研发团队突破性地实现了商用8英寸4°倾角4H-SiC衬底上的氮化铝镓/氮化镓异质结构外延,成功将氮化镓外延层的缺陷密度降低至1×10⁵ cm⁻²以下(国际同类产品普遍为1×10⁶ cm⁻²),同时散热性能提升35%。这一成果不仅解决了大尺寸单片集成的技术瓶颈,还使量产成本较现有方案下降约20%,为混合晶体管的商业化铺平道路。
根据应用场景分析,该技术可直接应用于新能源汽车充电桩(预计2025年产值达97亿美元)、5G基站电源模块等领域。深圳团队的技术突破尤其在碳化硅与氮化镓材料的协同优化方面取得关键进展,其制备工艺兼容现有半导体设备,为产业规模化提供了可行性路径。据行业测算,若该技术全面推广,到2030年全球碳化硅器件能耗有望降低18%,推动电动汽车续航里程提升15%以上。
结语
作为第三代半导体的核心材料,碳化硅的产业化进程正深刻重塑全球能源与电子产业格局。深圳此次在大尺寸衬底集成技术上的突破,不仅验证了中国企业在关键领域的自主创新能力,更通过降低制造成本和提升可靠性两大路径,为2025年后碳化硅市场的爆发式增长注入强心剂。随着政策红利持续释放和技术迭代加速,碳化硅产业链上下游协同发展的新时代已悄然到来。
更多碳化硅行业研究分析,详见中国报告大厅《碳化硅行业报告汇总》。这里汇聚海量专业资料,深度剖析各行业发展态势与趋势,为您的决策提供坚实依据。
更多详细的行业数据尽在【数据库】,涵盖了宏观数据、产量数据、进出口数据、价格数据及上市公司财务数据等各类型数据内容。