中国报告大厅网讯,当前全球存储芯片市场正经历前所未有的结构性变革。截至2025年第三季度,DRAM合约价格同比暴涨170%,部分内存条现货价格月涨幅达100%,远超黄金等传统大宗商品。AI服务器需求激增成为核心驱动力,单台AI服务器所需DRAM容量达到普通服务器的8倍,OpenAI等厂商订单已占据全球DRAM产能的50%。与此同时,美光、三星、SK海力士等头部厂商通过减产NAND Flash产能,集中资源向HBM、DDR5等高端芯片倾斜,推动存储芯片产业进入新一轮超级周期。

中国报告大厅发布的《2025-2030年中国芯片行业项目调研及市场前景预测评估报告》指出,AI技术的突破性发展正在重塑存储芯片需求结构。科技巨头在AI领域的资本支出加速,英伟达、亚马逊等四家企业占据HBM需求的95%,国内阿里巴巴、百度等公司也大幅增加数据中心建设投入,直接带动HBM市场规模爆发式增长。同时,2025年下半年手机、PC、AI眼镜等智能终端新品密集发布,推动大容量存储芯片需求快速攀升。数据显示,多模态AI生成内容的数据量较早期形态增长数倍,进一步加剧了存储芯片的供需矛盾。
全球存储芯片供给端呈现显著收缩态势。TrendForce集邦咨询10月数据显示,美光、三星、SK海力士等企业因NAND Flash需求疲软主动减产,导致市场供给持续收紧。头部厂商将产能向高性能芯片倾斜,DDR5和HBM产能占比显著提升,而传统DDR4芯片供应加速退出市场。这种结构性调整不仅引发传统存储芯片价格飙升,更推动芯片产业向高带宽、高容量方向升级。
2025年第三季度DRAM合约价同比涨幅突破170%,部分型号内存条现货价单月翻倍。AI训练对存储容量与带宽的极致需求是核心驱动因素:单台AI服务器的DRAM用量达到普通服务器的8倍,而OpenAI等大模型厂商的巨额订单已占据全球DRAM产能半壁江山。渠道端囤货锁价现象普遍,存储芯片板块股价同步走高。行业分析指出,这种供需失衡状态将持续至2025年底,并加速推动DDR4等旧代产品退出市场。
随着AI生成内容从单一形态向视频、多语言等复杂形式演进,数据容量呈现指数级增长。预计2025年第四季度存储芯片价格仍将维持上行通道,供需紧张格局持续。为应对需求激增,存储芯片原厂计划扩大资本开支,重点布局刻蚀、沉积等半导体设备环节,推动产业技术升级。
2025年第二季度起,主流存储芯片合约价格开始回暖,企业级存储产品需求向好是关键因素。在AI算力持续高景气的带动下,存储原厂通过产能向高端芯片倾斜,进一步改善市场供需结构。除HBM外,其他类型DRAM产品的涨价态势预计延续,推动存储芯片产业进入全面价值重估阶段。
数据中心建设提速与单柜存储配置提升,使存储芯片成为算力体系的核心环节。AI大模型迭代与数据量激增的双重作用下,存储芯片的性能、容量与能效要求全面提升。2025年四季度起存储价格持续上行,标志着产业正式迈入新一轮超级周期,技术创新与产业布局将围绕高性能存储需求展开深度重构。
2025年存储芯片市场呈现供需两端的剧烈变革。AI算力爆发与终端设备升级共同推高需求,头部厂商产能结构调整加剧供给收缩,双重作用下存储芯片价格迎来历史级涨幅。超级周期的启动不仅体现在短期价格波动,更将驱动存储芯片技术体系与产业格局的全面升级。未来3年,高带宽、大容量芯片的渗透率提升将成为核心趋势,半导体设备与材料领域也将随之迎来发展机遇。
风险提示:技术迭代速度、政策环境变化、国际贸易摩擦等因素可能影响超级周期持续性,需关注产业链协同创新与全球供应链稳定性。
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