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2025年芯片发展趋势及统计数据:存储短缺与国产设备崛起

2025-11-11 07:30:04报告大厅(www.chinabgao.com) 字号:T| T

  中国报告大厅网讯,当前芯片市场正经历结构性变革,存储芯片供需失衡推动全球扩产潮,国产设备企业凭借技术突破成为核心增长引擎。2025年前三季度,中国半导体设备企业营收同比增长超30%,存货与合同负债规模显著攀升,显示行业订单饱满、业绩释放动能强劲。从存储涨价潮到AI需求爆发,芯片产业链正迎来历史性发展机遇。

  一、存储芯片短缺加剧,扩产潮驱动设备需求增长

  中国报告大厅发布的《2025-2030年中国芯片行业项目调研及市场前景预测评估报告》指出,存储芯片的供需缺口在2025年持续扩大,AI服务器、多模态应用爆发性需求成为核心驱动力。10月全球存储芯片价格环比涨幅达40%~100%,11月主要原厂继续提价,其中NAND闪存合约价格上调50%,直接反映数据中心对高端芯片的迫切需求。国际厂商加速转向高带宽存储器(HBM)等高端产品,导致传统存储芯片供给减少,进一步挤压消费电子产能。

  国内存储厂商扩产紧迫性提升,设备作为扩产的前置环节率先受益。2025年前三季度,拓荆科技实现营收42.2亿元,同比增长85.27%,净利润5.57亿元,增幅达105.14%;中微公司营收80.63亿元,同比增长46.4%,净利润12.11亿元,增长32.66%。存货与合同负债指标显示行业高景气度:北方华创存货达301.99亿元,较年初增长80亿元;拓荆科技合同负债较年初增长64%,达19.1亿元,订单能见度极高。

  二、国产芯片设备突破关键工艺,市场份额加速提升

  在芯片制造核心设备领域,国产厂商实现技术突破。薄膜沉积设备、刻蚀设备等关键环节国产替代加速,支撑存储扩产进程。拓荆科技的先进制程验证机台进入规模化量产阶段,第三季度营收同比增长124.15%,扣非净利润激增822.50%;中微公司的刻蚀设备收入61.01亿元,同比增长38.26%,应用于先进存储器件的超高深宽比刻蚀工艺实现大规模量产。

  低压化学气相沉积(LPCVD)、原子层沉积(ALD)等设备的市场渗透率持续提升,北方华创的立式炉、物理气相沉积(PVD)设备累计交付突破1000台,新产品覆盖离子注入、电镀等工艺环节。国产设备企业通过技术迭代,正逐步打破国际垄断,为国内存储芯片产能扩张提供关键支撑。

  三、芯片供需缺口持续至2026年,AI需求重塑行业格局

  市场共识显示,2025年存储芯片涨价潮将延续至2026年,高端产品如HBM的供给缺口预计进一步扩大。不同于传统周期性减产驱动的价格波动,本轮芯片上行周期由AI算力需求主导,数据中心对高带宽、大容量存储的需求持续爆发。

  全球存储芯片产能扩张受限于技术门槛与资本投入,国际厂商主动收缩低端市场,加剧结构性缺货。国内长江存储、长鑫存储等企业推进IPO进程,未来募集资金将加速产能释放,带动国产设备需求增长。

  2025年芯片产业呈现供需双轮驱动态势,存储短缺推动全球扩产潮,国产设备企业凭借技术突破站上发展风口。从数据看,国产半导体设备前三季度营收与利润均实现超30%增长,存货与合同负债指标印证行业高景气度。随着AI算力需求持续释放,高端芯片供需缺口或延续至2026年,国产设备在刻蚀、薄膜沉积等核心环节的突破,将助力国内芯片产业链实现自主可控,成为全球半导体格局重塑的重要力量。

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