2016年我国半导体存储器行业发展趋势分析

　　尽管仍2016年第事季度起存储器行业的产品价格出现了回升。但是行业整体仌然处二周期性底部的位置，市场主要厂商三星、海力士、美先等在资本开支产能扩张方面仌然较为谨慎，而我们讣为在智能秱劢终端需求、数据中心服务器需求以及固态影片需求带劢的情冴，DRAM和NAND Flash市场均有逐步仍供过二求向供给丌足转秱的趋势，而在这种行业周期性底部有转发趋势的情冴下，中国大陆地匙的逆周期投资有望推劢国内厂商成为市场内崛起的新生力量。现对2016年我国半导体存储器行业发展趋势分析。

　　存储器的发展几乎是伴随着电子计算机的发展历程而来的。在发展之初，采用汞线延迟线来进行信息的存储和读写，之后采用磁性材料，再到光学材料等存储器设备，尽管获得了较大的改善，但是仍然面临体积庞大、性能有限的挑战，对应用领域的拓展造成了不小的阻碍。

　　得益于集成电路技术的发展与成熟，采用半导体集成电路方式制造的存储器IC芯片获得了广泛的采用。随着在存储介质的演进，设计架构的更新和工艺水平的提高，IC存储器在存储密度、读写速度等性能持续提高，同时能耗、单位存储单元成本持续降低，IC存储器的发展也充分享受摩尔定理集成电路演进历程。

　　半导体存储器市场规模近800亿美元,呈寡头垄断局面。2015年全球半导体存储器的销售额为772亿美元,在半导体市场的占比为23%,其中DRAM、NAND、NOR存储器的销售额分别为约410亿、300亿、30亿美元。三星,海力士和美光三家垄断了95%的DRAM市场,三星、东芝/闪迪、美光、海力士四家垄断了99%的NAND市场,前6大厂家垄断90%的NOR市场。

　　2016-2021年中国半导体存储器行业发展分析及投资潜力研究报告表明，紫光联手武汉新芯,加快存储器产业发展。发展存储器的战略和经济意义重大,中国大陆发展存储器的决心十分坚定。7月26日紫光集团联合武汉新芯成立长江存储,打造存储器国家队。紫光集团的资本优势和武汉新芯的技术优势相结合,集中优势资源发展存储器,将加快我国存储器产业的发展。

　　新型存储器成为我国存储器产业弯道超车的最佳选择。存储器行业门槛高,我国在传统的存储器方面落后太多,很难在短期内赶超国外同行。而在新型存储器方面,国内与海外差距相对较小,例如我国拥有自主知识产权的PCRAM技术已经取得突破,用于打印机的PCRAM存储器芯片年出货量超过千万颗。因此,发展具备自主知识产权的新型存储器有望实现弯道超车。

　　从全球来看，3D NOR市场还在起步阶段，目前只有三星产出样品，新芯将在此项技术加大投入，决心成为中国存储半导体领先企业。3D NOR的发展相比芯片萎缩会节约大量的成本，国内市场需求占据全球近半数，在保证45nm技术的同时，进行3d技术提升，并将揉合mobile rom设计，伴随着终端设备功能的不断完善，对芯片的需要也逐年增加，技术要求也增强。新芯的目标打造ISM(集成次系统组件)制造商，进行自有存储品牌生产。

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