2016年我国半导体存储器行业投资前景分析

　　7月北美半导体设备订单出货比(B/B值)为1.05，并已连续8个月守稳在1以上，表明全球晶圆代工厂与存储器设备投资加快。另外，2016年全球主要集成电路制造企业的资本支出呈正增长。机构预计，2016年全球集成电路产业或将触底回暖。现对2016年我国半导体存储器行业投资前景分析。

　　数据显示，2016年至2017年，全球预计新建晶圆厂19座。其中，10座将建于我国，全球半导体产能正加速向我国转移。机构预计，到2019年，我国集成电路企业销售额增速将维持在25%至30%。

　　存储器是半导体产业资本支出最高的领域，占整个行业的38%。存储器作为我国集成电路支柱产业，目前主要依赖进口。数据显示，仅去年前三季度，我国采购了120 亿美元的DRAM 和66.7 亿美元的NAND flash，分别占到全球消费量的 21.6%和29.1%。存储器是我国半导体行业四大产品类型中自给率最低的一个，未来具有较大的发展空间。

　　目前，我国正斥巨资启动国家存储器战略。今年3月，总投资240亿美元的存储器基地项目在武汉东湖高新区正式启动。据了解，这一存储器基地项目的主要产品为3D NAND，预计到2020年将形成月产能30万片的生产规模，到2030年有望建成每月100万片的产能。另外，紫光集团已明确旗下紫光国芯为其存储平台，并已定增800亿元用于存储器战略。但由于存储器行业门槛高，我国在传统的存储器领域很难短期内赶超国外同行，所以新型存储器将成为我国弯道超车的最佳选择。

　　目前，存储器市场的三大主流产品分别为DRAM、NAND Flash和NOR Flash。不论是NAND 还是DRAM，在成本和性能等方面都渐渐开始显露疲态，因此各大存储器龙头均在积极发展新型存储器。

　　2016-2021年中国半导体存储器行业发展分析及投资潜力研究报告表明，在政策的大力支持下，国内企业在存储器领域取得了较大发展。在3D NAND 方面，去年武汉新芯携手Spansion已经在存储器研发上取得进展，具有9层结构的三维存储器芯片下线;在PCM和RRAM等新型存储器方面，国内也有不少企业和科研单位进行探索，目前我国新型存储器的专利拥有数已大大超过DRAM和NAND，和国内龙头企业的差距相对来说也较小。

　　2015年我国存储器市场规模达到2842.7亿元，市场份额达54.1%。随着一系列扶持政策的加速落实，集成电路产业投资力度将逐年加大，存储芯片产业将迎来发展新机遇，耗材、装备和封测等产业链上下游领域均有望受益。

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